輝達調整AI記憶體路線，降堆疊、提速率，三星成為NVHBM早期核心供應商，研發8層

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輝達調整AI記憶體路線，降堆疊、提速率，三星成為NVHBM早期核心供應商，研發8層HBM4E

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2026-08-31 13:24:01

記者署名：

財聞

原文內容：

8月31日，據財聞海外資訊，輝達（NVDA.US）正在推行全新AI記憶體策略：不再一味追求更高堆疊層數，轉而降低堆疊層數、提升傳輸速率。在此背景下，三星電子成為輝達客製化高頻寬記憶體NVHBM的早期核心合作供應商。

據悉，三星電子正依照輝達的技術要求，研發第七代產品8層版本HBM4E。此產品堆疊層數低於三星原本規劃的12層、16層方案。輝達對三星提出的速率指標為17-18Gbps，較三星HBM4E初期樣品14.4Gbps的速率提升約20%。這款記憶體將用於NVHBM，適配輝達前一日剛對外公佈的專有技術標準NVLink。

8層設計顛覆了過往HBM產業的競爭邏輯。過去HBM依賴增加堆疊層數提升容量，從4層迭代至8層、再到12層。堆疊層數越高，DRAM晶片需打磨較薄，堆疊製程精度要求隨之抬升，後端製程難度加大，良率壓力顯著增加。反觀8層方案，能降低製造難度，更容易實現大規模供貨。外界解讀，這是輝達用來破解記憶體供給短缺的策略。

輝達選擇把技術重心放在提升傳輸速率上。 NVHBM高機率將率先應用於明年發表的下一代AIGPURubinUltra。 RubinUltra可將GPU之間互聯規模擴大8倍，互聯通道從72條最高拓展至576條。技術想法為：雖然單顆GPU記憶體容量因為HBM堆疊層數下降有所減少，但透過數百片搭載高速HBM的GPU互連組網，仍能拉高整體算力。

在客製化HBM賽道，三星相比SK海力士（SKHY.US）和美光科技（MU.US）更具競爭優勢。NVHBM除DRAM晶片以外，還需要具備邏輯基底晶片的設計製造能力，三星同時掌握兩類技術，可實現全流程一站式交付。

一位業內人士表示：“三星已經憑藉HBM4證明行業頂尖的速率性能，在速率競賽而非高堆疊競賽中能夠充分發揮自身優勢。”

心得/評論：

輝達改變HBM策略 從單純追求容量轉向速率與互聯規模

記憶體競賽邏輯正在被重新定義

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