台積電、ASML聯手推12吋High NA EUV光罩！2030年擬導入先進製程、2031年前建試產線
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台積電、ASML聯手推12吋High NA EUV光罩！2030年擬導入先進製程、2031年前建試產線
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2026/09/08
14:26
記者署名：
財訊新聞中心
原文內容：
台積電與ASML宣布發起產業合作，共同推動半導體產業轉移升級至更大尺寸的極紫外光（EUV）微影光罩，將High NA EUV自現行6吋光罩轉移至12吋光罩，目標於2031年之前建立12吋光罩試產線（pilot line），並於2033年之前實現微影系統全面就緒，以支援先進製程量產。
ASML與台積電9月7日於加州蒙特雷舉辦的BACUS國際光學工程學會（SPIE）先進微影技術研討會前宣布發起這項產業合作，共同推動轉移升級至12吋光罩，以將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術的價值發揮到極致。
High NA EUV將自現行的6吋光罩，轉移至更大的12吋光罩，預期將進一步提升晶圓廠的生產力、降低晶片製造成本，並消除需要兩張6吋光罩在High NA EUV曝光時進行拼接的限制，使整個半導體產業受惠。
雙方指出，此次轉移能讓先進晶片製造服務提供者充分利用High NA EUV的優勢，更提升未來世代先進晶片的成本效益。
ASML總裁暨執行長Christophe Fouquet表示：「我們預期，隨著元件微縮藍圖的推進，High NA EUV的採用將逐步提升。初期透過沿用現行的6吋光罩，而後導入12吋光罩以進一步提升設備生產力，讓產業能夠滿足市場對更小、更快、更節能晶片的需求。我們很高興這項合作在初期便獲得半導體製造廠商、光罩廠商、以及合作夥伴的大力支持。」
台積電董事長暨總裁魏哲家表示：「台積電深信，唯有產業攜手解決複雜問題，才能開創單一企業無法獨力實現的無限可能。藉由匯聚產業價值鏈的專業力量，我們期許透過持續創新來降低門檻，讓先進解決方案得以大規模普及，進而持續傳遞尖端技術的價值。」
台積電有意自2030年起，在先進製程量產中導入ASML的High NA技術。隨著製程技術持續推進，特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下，台積電預期需要使用High NA EUV曝光的光罩層數將隨之增加。
依照此次合作時程，ASML與台積電計畫於2031年之前建立12吋光罩試產線，並為2033年12吋High NA微影系統導入先進製程量產奠定基礎。
此外，眾多關鍵生態系統夥伴與供應商均出席此次活動，High NA EUV採用廠商及其他主要供應商也表達參與意願，突顯產業對此的廣泛支持。
心得/評論：
在常規 EUV 設備中，晶片線路能以 1:1 的光罩視場Field Size一次印在矽晶圓上。但到了 High NA EUV（用於 2nm、A16 以下極先進製程），由於鏡頭放大倍率改變，光罩視場被強制縮小了一半Half-Field
舊作法（6 吋光罩）：設計一個大晶片時，必須把電路拆成兩半，用兩張 6 吋光罩分別曝光後再拼接（Stitching）起來。這會導致曝光時間翻倍、生產效率（WPH）砍半、光罩成本爆增，且拼接處容易出現瑕疵。
新方案12 吋光罩：將光罩尺寸加大一倍，讓 High NA EUV 能夠一次完成全視場Full-Field曝光，免去拼接光罩的麻煩，直接解決了產能與成本兩大痛點。
因此光罩加大至12吋後從光罩基板、檢測設備、光阻劑塗佈機到機器人搬運系統全部都要重新設計，將引發一波高階半導體設備與檢測材料的升級潮。
雖然時間尚遠台積電對於規劃一直在前。CC魏今年股東會說過「下面幾年都很好，你如果預計買股票，請繼續」是有所本
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