傳說中的9800X3D抽幀問題

→ Wilson310: CPU是到手就跟風降壓就覺得穩的 123.205.144.28 08/01 12:58→ Wilson310: 永遠不會去想降壓也是一種超頻 123.205.144.28 08/01 12:58→ Wilson310: 記憶體時脈永遠是超完就不測試的 123.205.144.28 08/01 12:59→ Wilson310: 你說這種一知半解又亂操作的會穩？ 123.205.144.28 08/01 13:00→ Wilson310: 會穩才怪 123.205.144.28 08/01 13:00這個問題蠻值得探討的

根據半導體動態功率公式 P=aCV^2f

定功耗降壓=頻率上升 常見於顯卡 只要頻率在BIOS在boost範圍內一定往上拉

定頻降壓=功耗降低 我自己試IA兩平台CPU單純降壓都會降功耗

就看是要拉效能還是延長壽命

會開始研究這問題 是因為最近常看到Zen5故障情形 包含版主的9950X3D 本週巴哈也有案例

更早之前團長就掛了幾顆 我就想說不可能每個案例都是極限超頻導致故障

就查了影響CPU跟記憶體壽命相關文獻

電壓對於先進製程半導體裝置壽命影響最大 其次是溫度

JEDEC JEP122H 半導體裝置失效的機制與模型這篇

該文獻中TDDB(經時介電層擊穿)失效模式以Power-Law Eyring Model進行理論壽命計算

溫度加速因子其實就是引用Arrhenius model 即工作溫度每加10度其理論壽命減半

電壓加速因子就是負載電壓與基準電壓比值的n次方

其中n就是電壓加速指數 通常隨製程微縮增加

以9800X3D的IOD工作電壓Vsoc試算

未開啟EXPO時Vsoc為1.1V 開啟後Vsoc普遍為1.2V N參考gemini搜尋文獻中FinFET以30計算

即(1.2/1.1)^30=13.6 所以兩者在TDDB失效模式下理論壽命差了12.6倍

還要考慮電壓增加帶來的溫度提高(功率與溫度呈正相關)

不過這畢竟是理論壽命計算 實際使用應該不會差這麼多

但在半導體製程微縮下 提高電壓折壽的速度真的是越來越快

所以才有降壓降功耗以延長壽命的作法

但降壓要考慮相關參數 像Vsoc就跟FLCK UCLK和MCLK相關

開EXPO就是因為UCLK配合MCLK提高時脈 為了維持訊號完整性Vsoc就得配合加壓

還有邪修4400是要拉FCLK 對應的VDDG也要拉高

而VDDG又得跟Vsoc有一定壓差才能維持訊號完整性 所以Vsoc也得配合加壓

AM5的性能瓶頸又卡在FCLK X3D拉DRAM性能收益太低

加上近期故障消息頻發 手上的AM5平台就不搞EXPO(超頻)了 改全面降壓降功耗

之前在B站看到一個評論 寫到「超頻的盡頭是默頻降壓」在目前製程微縮下 算是顯學吧

現在原廠boost頻率差不多就是性能跟效能的甜蜜點了 再上去收益就很低了

不如反向思考在原廠boost頻率拉低電壓(維持系統穩定前提)延長壽命會比較實在

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